1.光譜分析儀（計）系統優點
光譜分析儀（計）系統采用的全息平場凹面衍射光柵和高性能帶電子快門控制技術的線性CCD陣列探測器組成。并采用控制雜散光技術、精密陣列探測器電子驅動技術和寬動態線性技術，整個系統達到雜散低、動態范圍寬、毫秒級的測試速度及傳統機械式光譜儀的高精度要求。
2.光譜分析儀（計）系統組成

CMS光譜分析儀（計）、積分球、精密交直流電源、校準定標系統及其他高精度儀器等組成。
3.光譜分析儀（計）系統參考標準（LED模組、LED燈、LED燈具的光色電參數測量部分標準）：

CIE13.3:1995MethodofMeasuringandSpecifyingColorRenderingofLightSources
CIE84：1989 Measurementofluminoulux
CIE127-2007MeasurementofLEDs
CIE15-2004 Colorimery
CIE177-2007ColourRenderingofWhiteLEDLightSources
IESNALM-79ElectricalandPhotometricMesaurementsofSolid-StateLiguting
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4.光譜分析儀（計）系統測量參數：  

色品坐標（x,y）、相關色溫、光通量、光效、能效指數（EEI）、能效等級、顯色指數、顏色質量量表、色品坐標（u,v）、色品坐標（u`,v`）、主波長、色純度、峰值半寬度、色比、光功率、瞳孔光通量、瞳孔光效、司晨視覺光通量、中間視覺光通量及電參數等參數。

每一條所發射的譜線的波長，取決于躍遷前后兩個能級之差。由于原子的能級很多，原子在被激發后，其外層電子可有不同的躍遷，但這些躍遷應遵循一定的規則（即“光譜選律”），因此對特定元素的原子可產生一系列不同波長的特征光譜線，這些譜線按一定的順序排列，并保持一定的強度比例。光譜分析就是從識別這些元素的特征光譜來鑒別元素的存在（定性分析），而這些光譜線的強度又與試樣中該元素的含量有關，因此又可利用這些譜線的強度來測定元素的含量（定量分析）。這就是發射光譜分析的基本依據。

原子發射光譜分析是根據原子所發射的光譜來測定物質的化學組分的。不同物質由不同元素的原子所組成，而原子都包含著一個結構緊密的原子核，核繞著不斷運動的電子。每個電子處于一定的能級上，具有一定的能量。在正常的情況下，原子處于穩定狀態，它的能量是的，這種狀態稱為基態。但當原子受到能量（如熱能、電能等）的作用時，原子由于與高速運動的氣態粒子和電子相互碰撞而獲得了能量，使原子中外層的電子從基態躍遷到更高的能級上，處在這種狀態的原子稱激發態。電子從基態躍遷至激發態所需的能量稱為激發電位，當外加的能量足夠大時，原子中的電子脫離原子核的束縛力，使原子成為離子，這種過程稱為電離。原子失去一個電子成為離子時所需要的能量稱為一級電離電位。離子中的外層電子也能被激發，其所需的能量即為相應離子的激發電位。處于激發態的原子是十分不穩定的，在極短的時間內便躍遷至基態或其它較低的能級上。

技術性能及指標

1.   分光室設計

  帕邢-龍格結構,羅蘭圓直徑400mm

  波長范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統，可保證真空泵運行時間小于5%

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發光源

  全數字等離子火花光源技術

  高能預燃技術 (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發臺

  3mm樣品臺分析間隙

  噴射電極技術

  設計的氣路系統，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機功率70W
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