發射光譜分析是根據被測原子或分子在激發狀態下發射的特征光譜的強度計算其含量。

電子躍遷到較高能級以后處于激發態，但激發態電子是不穩定的，大約經過10-8秒以后，激發態電子將返回基態或其它較低能級，并將電子躍遷時所吸收的能量以光的形式釋放出去，這個過程稱原子發射光譜。可見原子吸收光譜過程吸收輻射能量，而原子發射光譜過程則釋放輻射能量。

吸收光譜是根據待測元素的特征光譜，通過樣品蒸汽中待測元素的基態原子吸收被測元素的光譜后被減弱的強度計算其含量。它符合郎珀-比爾定律：A= -lg I/I o= -lgT = KCL

技術性能及指標

1.   分光室設計

  帕邢-龍格結構,羅蘭圓直徑400mm

  波長范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  特殊材質鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統，可保證真空泵運行時間小于5

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發光源

  全數字等離子火花光源技術

  高能預燃技術 (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發臺

  3mm樣品臺分析間隙

  噴射電極技術

  特殊設計的氣路系統，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機功率70W
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